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型号 MCH6626-TL-E
厂商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
MCH6626-TL-E PDF
代理商 MCH6626-TL-E
产品目录绘图 MCPH3 Package - P, N & N/P Channel Top
标准包装 1
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.6A，1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 230 毫欧 @ 800mA，4V
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.4nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds 105pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD，扁平引线
供应商设备封装 6-MCPH
包装 标准包装
产品目录页面 1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 869-1180-6
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MCH-BUTTON-LP4 3M MEMORY CARD HEADER
MCHC11F1CFNE2 Freescale Semiconductor IC MCU 512 EEPROM 68-PLCC
MCHC11F1CFNE2R Freescale Semiconductor MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC
MCHC11F1CFNE3 Freescale Semiconductor IC MCU 8BIT 1K RAM 68-PLCC
MCHC11F1CFNE3R Freescale Semiconductor MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC
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